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OPTEK Technology Inc.  1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006 
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Issue B 9/2010
Page 4 of 4
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Dual Channel Encoder
OPB822S, OPB822SD
OPB826S, OPB826SD
Electrical Characteristics (OPB822, OPB826) (T
A
 = 25癈 unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode (see OP14O for OPB822 or OP266 for OPB826 for additional information)
V
F
    Forward Voltage
-    -    1.7    V   I
F
= 20 mA
I
R
    Reverse Current
-    -    100    礎   V
R
= 2 V
Output Phototransistor (see OP550 for OPB822 or OP506 for OPB826 for additional information)
V
(BR)(CEO)
  Collector-Emitter Breakdown Voltage    30   -    -     V   I
C
= 1 mA
V
(BR)(ECO)
  Emitter-Collector Breakdown Voltage    5    -    -     V   I
E
= 100 礎
I
CEO
   Collector-Emitter Leakage Current
-    -    100    nA   V
CE
= 10 V, I
F
= 0, E
E
= 0
Coupled
I
C(ON)
 
On-State Collector Current
   OPB822S
   OPB822SD
   OPB826S
   OPB826SD
 
250
100
250
100
 
-
-
-
-
 
-
-
-
-
 
礎
礎
礎
礎
 
V
CE
= 5 V, I
F
= 20 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 20 mA
V
CE
= 10 V, I
F
= 20 mA
V
CE
= 10 V, I
F
= 20 mA
V
CE(SAT)
 
Collector-Emitter Saturation Voltage
   OPB822S
   OPB822SD
   OPB826S
   OPB826SD
 
-
-
-
-
 
-
-
-
-
 
0.4
0.4
0.4
0.4
 
V
V
V
V
 
I
C
= 125 礎, I
F
= 20 mA
I
C
= 50 礎, I
F
= 20 mA
I
C
= 125 礎, I
F
= 20 mA
I
C
= 50 礎, I
F
= 20 mA
I
CX1
 
Crosstalk
   OPB822D, OPB822SD
   OPB826S
   OPB826SD
 
-
-
-
 
-
-
-
 
250
20
10
礎   I
F1
= 0 mA, I
F2
= 20 mA, V
CE
= 10 V
Notes:
(1) All parameters tested using pulse techniques.
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